Prezentare generală a produsului

Acest sistem ICP-DSE de 8-inchi este un gravator de-producție în masă pentru procesarea siliciului cu-aspect- înalt. Acesta integrează puterea ICP cu frecvență dublă{{9}(2MHz+13.56MHz), modulul nostru brevetat de comutare rapidă a gazului și detectarea-situată a punctelor finale cu laser-cu gravarea alternativă Bosch optimizată. Conform standardelor pentru plachete de 8-inchi, funcționează cu SOI, siliciu dopat și SiC, permițând gravarea precisă de 10μm-1000μm. Echilibrează flexibilitatea cercetării și dezvoltării și stabilitatea producției de masă, utilizate în senzori auto, MOSFET-uri super-joncțiune și TSV.

Avantaje

Raport de aspect excelent și control al profilului

Raport de 100:1 (10 μm deschidere, 1000 μm adâncime) prin procesul Bosch îmbunătățit, cu verticalitate laterală de 90 de grade ± 0,1 grade, rugozitate Ra 0,3 μm și fără „micro-tranșee”.

Eficiență ridicată{0}}producției în masă

Viteza de gravare de până la 50 μm/min (30+ plachete/oră pe cameră). 3-designul paralel al camerei oferă 400 RF-h MTBC și o utilizare mai mare cu 40%.<1.0min gas switching and ±2% wafer-to-wafer error ensure batch consistency.

Daune reduse și precizie ridicată

Dual-frequency power offers >selectivitate 100:1 (față de Si02); Precizie la punctul final al laserului de 1 μm, perfectă pentru gravarea TSV a substratului ultra-subțire.

Adaptabilitate largă

Platformă de 8 inchi (compatibilă cu 6 inchi prin suport) cu modul Bosch rapid/lent. Suportă Ar/O₂/C₄F₈/SF₆ pentru procesele MEMS/dispozitive de putere.

Aplicații

01/

MEMS:Gravare adâncime a șanțurilor/cavității pentru senzori inerțiali/presiune; calitate auto{0}verificată.

02/

Semiconductori de putere:Gravare cu raport de aspect 100:1 pentru super-joncțiune MOSFET/IGBT; utilizat în dispozitive auto/industriale de înaltă fiabilitate.

03/

Ambalare avansată:Gravare TSV pentru WLP de 8 inchi; detecția cu laser asigură uniformitatea adâncimii pentru stivuirea 3D.

04/

Cercetare și dezvoltare specială:Gravare pentru structuri de siliciu cu cip cuantic și capete de imprimare cu jet de cerneală; stocarea rețetelor cu un-clic pentru materiale noi.

Parametrii

Categorie	Detalii
Compatibilitate wafer	Wafer-uri IC de 8 inchi (200 mm); compatibil în jos cu napolitane de 6 inci (prin suport)
Substraturi suportate	Siliciu monocristalin, SOI (Siliciu-On-Izolator), siliciu dopat, SiC (Carbură de siliciu)
Gama de adâncime de gravare	10μm – 1000μm
Performanța cheie a procesului	- Raport de aspect: Până la 100:1- Verticalitatea peretelui lateral: 90 grade ±0,1 grade - Rugozitatea peretelui lateral: mai mică sau egală cu Ra 0,3μm- Eroare de adâncime a plachetei-la plachetă: ±2% (producție în masă)
Rata de gravare	Până la 50 μm/min (siliciu, proces standard Bosch)
Etch Selectivitate	>100:1 (siliciu vs mască tare SiO₂)
Configurație de bază	Sursă de alimentare ICP cu frecvență duală (2MHz + 13.56MHz); modul brevetat de comutare rapidă a gazului; sistem de detectare a punctelor finale laser in-situ; unitate de răcire din spate cu heliu
Capacitatea de producție	>30 de napolitane/oră per cameră (proces standard); Design paralel cu 3 camere opțional
Măsuri de fiabilitate	MTBC (Timp mediu între curățări): 400 RF-h; Timp de comutare a gazului:<1.0min
Gaze compatibile	Ar, O₂, C₄F₈, SF₆, N₂ (suportă combinații cu mai multe-gaze pentru procese personalizate)
Precizia detectării punctelor finale	1μm (detecție cu laser in-situ)