Prezentare generală a produsului
UHB 100 este un implant de ioni de înaltă-performanță-energie ridicată. Este proiectat pentru procesele de dopaj-de joncțiune profundă pentru fabricarea avansată de semiconductori. Dispunând de energie de accelerație ridicată de până la 8 MeV pentru ionii de încărcare unică, aparatul adoptă arhitectura de implantare a plăcilor unice-. Oferă stabilitate remarcabilă a sistemului, control precis al parametrilor, uniformitate superioară a implantării și repetabilitate, susținând o acoperire largă a proceselor pentru dispozitive logice, de memorie, de imagistică și de alimentare.
Avantaje
Capacitate de energie ultra-înaltă: energia ionică cu o singură-încărcare depășește 1 MeV, energia maximă ajunge la 8 MeV, susținând procesele de implantare-puțurilor-retrograde-de puțuri adânci.
Sursă de ioni de înaltă-performanță-durată de viață lungă: designul optimizat-sursei de ioni asigură o ieșire stabilă în condiții de accelerare la nivel de MeV-și reduce timpul de nefuncționare pentru întreținerea sursei.
Puritate ridicată a energiei și eficiență a transmisiei fasciculului: designul optic avansat al fasciculului-linie îmbunătățește eficiența transmisiei fasciculului și suprimă contaminarea cu energie pentru profile de implantare de-înaltă calitate.
Precizie excelentă a procesului: uniformitate superioară a dozei și repetabilitate în intervalele de doze complete, satisfacând cerințele stricte ale producției avansate de-noduri în masă.
Arhitectură orientată spre producția de-plachete-unice: designul de implantare a unei-plachete unice permite schimbarea flexibilă a rețetei, potrivită pentru producția de-produs în masă-combinat în fabrici.
Aplicații
UHB 100 acceptă implantarea de joncțiuni de-energie profundă-pentru cipurile semiconductoare principale:
LOGICĂ, DRAM, 3D NAND, NOR Flash
Dispozitive de alimentare CMOS, MOSFET, IGBT, BCD
Fabricarea de dispozitive semiconductoare CIS, MEMS și alte-imagini
Parametrii
|
Articol |
Caietul de sarcini |
|
Gama de energie |
20 keV-8 MeV |
|
Curent maxim al fasciculului |
B⁺: Mai mare sau egal cu 1000 μA @1 MeV |
|
Interval de doză |
1E11-5E15 ioni/cm² |
|
Uniformitatea dozei (1σ) |
1E11-5E11 ioni/cm²: mai mic sau egal cu 1%; 5E11-5E15 ioni/cm²: mai mic sau egal cu 0,5% |
|
Repetabilitate a dozei (1σ) |
1E11-5E11 ioni/cm²: mai mic sau egal cu 1%; 5E11-5E15 ioni/cm²: mai mic sau egal cu 0,5% |
FAQ
Î: Care este scenariul de bază al aplicației pentru UHB 100?
R: UHB 100 este utilizat în principal pentru dopajul joncțiunilor profunde de înaltă energie, cum ar fi implantarea puțului retrograd și a puțurilor adânci pentru cipuri logice, cipuri de stocare și dispozitive semiconductoare de putere. Acesta acoperă pașii cheie de implantare cu energie ridicată pentru fabricarea avansată a nodurilor.
Î: Care este energia de accelerație maximă a UHB 100?
R: Energia maximă ajunge la 8 MeV pentru ionii cu o singură încărcare, iar o ieșire stabilă a curentului fasciculului poate fi obținută la energie peste 1 MeV.
Î: Ce zici de performanța controlului dozei?
A: Pentru intervalul de doze 1E11 5E11 ioni/cm², uniformitate 1σ și repetabilitate Mai mică sau egală cu 1%; pentru 5E11 5E15 ioni/cm², uniformitate 1σ și repetabilitate Mai mică sau egală cu 0,5%, ceea ce îndeplinește cerințele stricte de producție în masă pentru fabricile IC.
Î: UHB 100 poate funcționa cu alte implantare SEMICORE într-o linie de producție?
A: Da. UHB 100 poate fi integrat cu implantare cu curent mediu din seria CIP, cu curenți mari din seria CIC pentru a construi o soluție completă de implant ionic intern care acoperă procesele cu energie scăzută, energie medie și energie ridicată.
Î: Ce serviciu de asistență poate fi oferit?
R: SEMICORE ZKX oferă aprovizionare cu piese de schimb cu set complet, întreținere anuală, mutare fabuloasă în service, recondiționare a echipamentelor, asistență tehnică la fața locului și reglarea rețetei procesului pentru punerea în funcțiune a liniei de producție.
Î: UHB 100 este calificat pentru producția de masă de 28 nm?
A: Da. UHB 100 a fost verificat pentru procesele de producție în masă până la nodul de 28 nm pentru liniile interne de producție de circuite integrate la scară largă.
Tag-uri populare: implant de ioni de înaltă energie, China producători de implanturi de ioni de înaltă energie, furnizori
