Dimensiunea minimă a caracteristicilor
Dimensiunea critică minimă (CD):
Dimensiunea minimă a caracteristicilor, cunoscută și sub numele de dimensiunea de jumătate de pas, este unul dintre cei mai importanți parametri pentru măsurarea performanței mașinilor de litografie.
Printre acestea, este o constantă care variază în diferite scheme de litografie, unde λ este lungimea de undă a sursei de lumină de intrare și NA este deschiderea numerică a sistemului optic al mașinii de litografie. Pentru constante, în prezent mașina de litografie DUV de la ASML din Țările de Jos poate atinge un maxim de aproximativ 0,25, în timp ce EUV este încă în jur de 0,35. Cu cât lungimea de undă a sursei de lumină de intrare este mai mică, cu atât procesul real de fotolitografie care poate fi efectuat este mai mic. Pentru deschiderea numerică NA, limita superioară a acestei valori este în general 1,0 pentru schemele DUV fără umectare și în jur de 1,35 pentru schemele DUV cu umectare. În comparație cu litografia fără imersie, mașinile de litografie prin imersie folosesc lichid suplimentar pentru refracție în timpul litografiei, de obicei apă pură cu un indice de refracție de aproximativ 1,33. Acesta este și motivul pentru care mașinile de litografie prin imersie au un NA mai mare.
Precizia gravării
Precizia suprapunerii: acuratețea alinierii dintre modelele de mască și wafer.
Sensul de bază se referă la precizia de aliniere a modelelor dintre cele două procese de fotolitografie. Dacă abaterea de aliniere este prea mare, aceasta va afecta direct randamentul produsului.
Toleranta la expunere
Latitudinea de expunere: Latitudinea de expunere, cunoscută și sub numele de marjă de expunere, este unul dintre parametrii importanți ai ferestrei procesului. Sistemele optice de expunere pot forma un interval de energie de expunere care îndeplinește cerințele de proiectare. De obicei, este definită de intervalul de selecție a energiei de expunere în ± 10% din modificarea valorii CD detectată de rezultatul expunerii. Dacă lățimea liniei modelului expus se modifică relativ puțin atunci când fotorezistul se abate de la doza optimă de expunere, aceasta indică faptul că fotorezistul are o toleranță mare la expunere. Cu cât toleranța la expunere este mai mare, cu atât este mai mare toleranța la dezvoltare.
Toleranța la expunere și contrastul imaginii de proiecție sunt strâns legate. Dacă dimensiunea caracteristicii imaginii proiectate are un contrast slab al imaginii, aceasta va fi prea sensibilă la modificările dozei
