Photoresist este un amestec de polimeri și unii compuși, dintre care cel mai important este un generator de fotoacizi (PAG). Când fotonii lovesc PAG, se produce un acid care reacționează cu polimerul, descompunându-l și făcându-l să fie dizolvat de către dezvoltator.
Fotolitografia fotorezist este de obicei împărțit în două tipuri: fotorezist pozitiv și fotorezist negativ.
Fotorezist pozitiv: porțiunea expusă este solubilă în soluția de revelator, în timp ce partea neexpusă este insolubilă în soluția de revelator. După dezvoltare, modelul fotorezistent rămas pe substrat este același cu modelul țintă de pe placa de mască.
Fotorezist negativ: porțiunea expusă este insolubilă în soluția de revelator, în timp ce porțiunea neexpusă este solubilă în soluția de revelator. Modelul fotorezistent rămas pe substrat după dezvoltare este complementar modelului țintă de pe placa de mască.
Prin urmare, pentru fotorezistul pozitiv, gravarea substratului fără protecție fotorezistentă după finalizarea fotolitografiei și, în final, spălarea fotorezistului rămas, realizează procesul de construcție într-un-pas a dispozitivelor semiconductoare pe suprafața substratului.
